液静压(超音波)双主轴晶圆减薄机
Ø6, Ø8 inch
2 axes, 3 chuck tables
GTR(s)-2386 专为半导体制程开发，结合双主轴架构与超音波辅助液静压主轴技术，打造高精度、高稳定性与高效率的研磨平台。设备针对 Si 与 SiC 等硬脆材料加工进行优化，可达到次微米级厚度控制与优异的 TTV 表现，满足高良率与高可靠度的半导体制造需求。

Name: 全自动晶圆减薄机GTR(s)-2386
Availability: InStock

产品型号：GTR(s)-2386

更新时间：2026-07-13

厂商性质：经销商

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产品分类

PRODUCT CLASSIFICATION

全自动晶圆减薄机GTR(s)-2386

液静承（标配）与超音波主轴（选配）

主轴跳动精度 ≤ 1 µm。

采用无接触液静压支撑设计，具备零磨耗、低振动与高稳定运行特性。
搭配超音波辅助研磨技术，可有效降低研磨力并延长砂轮寿命 ≥ 30%。
显著提升硬脆材料加工能力，适用于 SiC、GaN 等半导体材料。

双主轴架构 — 提升产能

一次设定即可进行同步加工。

支援多制程整合（粗磨＋精磨单次完成），可减少晶圆更换与重新定位时间 20–30%。

整体产能可提升 15–25%（依晶圆尺寸与材料而定）。

特别适用于 SiC、蓝宝石及化合物半导体的量产制程。

独立轴控制 — 提升制程弹性

每个主轴皆可独立设定主轴负载、转速（ 3000 rpm）、研磨量与进给速度（5 段控制）。

制程切换时间可缩短 20–30%，提升产线弹性与生产效率。

可依不同晶圆尺寸与材料特性调整轴向参数，并支援客制化制程需求。

优异 TTV 与表面粗糙度控制

整合厚度监测系统，可即时补偿砂轮磨耗，确保加工过程中的晶圆厚度精准控制。

可达到：

超低 TTV ≤ 2 µm

表面粗糙度 Ra ≤ 0.01 µm

确保产品高度均匀性与良率，特别适用于功率元件与封装制程。

智慧制程监控与 AI 特征模型

透过 AE Sensor 与 Power Sensor 进行即时制程回馈监测。

AI 模型利用历史数据分析，可预测异常磨耗与晶圆破裂风险，有效降低设备非计画停机。

实现：

降低晶圆破裂率

提升设备稼动率

减少砂轮异常磨耗

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